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[导读] 身为国家存储器项目首发基地的长江存储,4月11日武汉厂正式举行装机典礼,由紫光集团暨长江存储董事长赵伟国亲自主持,国家集成电路产业投资基金股份有限公司(大基金)总裁董事长丁文武也到场支持,紫光集团全球执行

 身为国家存储器项目首发基地的长江存储,4月11日武汉厂正式举行装机典礼,由紫光集团暨长江存储董事长赵伟国亲自主持,国家集成电路产业投资基金股份有限公司(大基金)总裁董事长丁文武也到场支持,紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全表示,长江存储已经获得第一笔10,776颗芯片的订单,算是11日装机仪式中的最大彩蛋!

本文引用地址: /news/analog/201804/757385.htm

长江存储武汉新厂房的启动,代表国内实现3D NAND量产的全新起点,对中国半导体产业极具里程碑意义!紫光在武汉、南京、成都三地皆具备12寸厂,率先启动的是武汉基地,赵伟国指出,武汉将募资800亿人民币,日前金额已经全数到位,今年可进入小规模量产,明年进入128Gb的3D NAND在64层技术的研发。

业内人士认为,现在NAND Flash大厂三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)主流的3D NAND技术是64层和72层,虽然今、明两年将跨入96层技术,但这个技术门槛十分高,要进入大量生产需要一些时间,如果紫光可以在64层3D NAND技术如期研发成功,那国内自主存储技术的脚步将更为坚定。

长江存储的装机典礼后,针对全球来参加的半导体设备供应商举行了“自主创芯 携手共赢”的2018供应商大会,高启全在会中宣布,长江存储的32层3D NAND芯片已经接获首笔订单,数量超过10,000颗,达10,776颗芯片,将应用在8GB uSD卡上,这代表国内3D NAND芯片研发已经跨出成功的第一步,不但研发成功,并且进入商用化!

事实上,长江存储的武汉基地第一期生产线进度十分快速,2017年9月已提前封顶,2017年11月长江存储第一颗32层3D NAND芯片宣布研发成功,而2018年2月进行厂内洁净室、消防等系统安装,4月11日这天正式举行半导体设备装机典礼,实现国内3D NAND芯片量产仅一步之遥!

赵伟国再强调,除了武汉的长江存储基地所需800亿人民币到位,另两大基地成都、南京也会各自会再投入500亿元,加上紫光正和重庆市政府、大基金等成立注册资本1,000亿元的新公司,五年备妥3,700亿元的资金要把芯片产业建起来,这是个大战略布局。

11日的装机典礼中,全球半导体设备大厂高层齐聚一堂,未来武汉长江存储的长期规划是单月高达30万片的12寸晶圆产能,加上南京、成都两大基地,紫光集团的“芯”布局绝对是推升全球半导体产业往前冲的一大助力,集团内部也期待在3D NAND技术领域在未来2~3年要弯道超车,积极累积手上的专利,关键是要在2020年上好好打上一仗!

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